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  快科技10月15日消息，马斯克10月14日在社会化媒体发文，公开表扬美光在内存定价上合理，同时暗指其他厂商定价“形同勒索”，并称今天的客户不会忘记受到了何种对待。 马斯克没有点名其

  快科技10月15日消息，第28届半导体展（SEDEX 2026）于10月14日至16日在首尔江南区COEX会展中心举办。三星电子在展会上确认，其4F DRAM技术开发已完成，量产时点正按客户节奏进行战略协调

  快科技10月15日消息，第28届半导体展（SEDEX 2026）于10月14日至16日在首尔江南区COEX会展中心举办，为期三天。三星电子与SK海力士在展会上共同展出第七代高带宽内存HBM4E及新一代存储技术。 三

  快科技10月15日消息，根据英国电子商务平台亚马逊价格追踪多个方面数据显示，DDR5内存价格在过去一年持续飙升，目前一套标准32GB DDR5-6000内存套装售价已达422英镑（约人民币4000元），较去年同期上涨434%，

  快科技10月14日消息，长鑫科技此前宣布今年底就会推出基于全新4F2架构的内存芯片，这比三星计划量产的2028年还早了2年，这下工业皇冠上的明珠又少了一颗。 在内存技术领域，三星、SK海力士及美

  快科技10月14日消息，近日一位Reddit网友发帖分享了一项散热改装：通过在ITX迷你机箱的内存条上方加装两把40mm小风扇，内存压力测试温度从75～80℃降至55℃，最高降幅达到25℃。 据了解，该网友

  快科技10月14日消息，据报道，SK海力士已调整第六代高带宽内存HBM4的扩产节奏，原定2026年下半年交付的部分后道工序设备订单被推迟至2027年，且2027年的资本预算尚未向部分供应商明确。 一位业

  快科技10月14日消息，长鑫存储在上周末宣布将在年底推出4F架构服务器级DDR5 RDIMM后，引发全球存储芯片股集体暴跌。 10月13日美国股市上，美光科技下跌4%创下约一个月来新低，西部数据下

  快科技10月14日消息，据报道，英特尔前CEO帕特基辛格近日接受专访时，再次对HBM发起猛烈抨击。他直言HBM是丑陋的内存，虽然这是目前能找到的最佳方案，但它真的太差劲了。 基辛格指出

  快科技10月13日消息，前几天长鑫科技继G5内存技术量产之后又宣布了一个重大进展，年底将率先量产4F2架构的内存芯片，这一系列的技术突破直接吓崩了美日韩存储芯片公司的股价。 今天三星、SK海力

  快科技10月13日消息，三星在OCP全球峰会2026上公布了下一代内存与存储技术战略，以及与全球合作伙伴的合作成果。 三星概述了旨在提升AI基础设施性能的三大关键技术方向：高带宽存储器（HBM）、

  快科技10月13日消息，国产DRAM厂商长鑫存储日前宣布年底将推出采用4F新世代架构的服务器级DDR5 RDIMM产品，引发韩国存储器双雄股价集体重挫。 截至13日中午12时许，三星电子股价暴跌8.48

  快科技10月13日消息，近日一位Reddit网友晒出一款造型独特的老式内存条，发帖询问具体型号。 评论区网友辨认后确认，这是一根72针SIMM内存，访问延时约60ns，大概率采用EDO扩展数据输出技术，多

  快科技10月13日消息，南亚科日前举行法说会公布第三季自结财报，单季营收1336.49亿元新台币，季增61.9%，税后纯益876.27亿元，每股纯益25.4元，毛利率攀升至85.7%创历史上最新的记录，单季获利刷新纪录。

  快科技10月13日消息，马斯克在社会化媒体上表示，一旦中国掌握某类产品的制造方法，其扩大生产规模的能力往往超过世界别的地方之和。 这番表态是在回应一条关于长鑫存储的讨论。发帖人Melvin认为

  快科技10月13日消息，据投资银行巴克莱（Barclays）最新报告，全球内存市场正经历剧烈的价格波动，DDR4内存的合约价格在过去三个月内累计上涨了24%。 令人意外的是，这一涨幅已超越了技术规格

  快科技10月12日消息，在全球内存芯片产业中，三星、SK海力士及美光三巨头占了近90%份额，第四的长鑫科技份额也就10%以内，但这多少也会让三巨头产生了压力，SK海力士就有紧迫感了。 据韩国媒体

  快科技10月12日消息，据报道，随着HBM4价格上涨以及内存制造商竞相争夺有限的DRAM产能，三星电子有望在2027年超越SK海力士，成为全世界最大的高带宽内存供应商。 这一预测来自瑞银最新报告。瑞银

  快科技10月12日消息，据报道，三星电子明年约80%的存储芯片产能已被长期供应协议提前锁定，英伟达、谷歌、微软等全球科学技术巨头均已签署覆盖五年以上的芯片供应协议。尚未签约的企业，只能争夺剩余

  快科技10月12日消息，据报道，国产DRAM厂商长鑫科技下一代内存技术平台G6的技术指标预测近日流出。 该方案显示，长鑫将继续采用DUV光刻工艺生产G6代内存，预计最快于2028年推出，芯片单元面积将